wp.pl
wp.pl
Najpopularniejszy w Polsce portal o finansach i biznesie
Money.plTechnologie dla biznesuPrzemysłPatentyEP 1625667 T3
Wyszukiwarka patentów
  • od
  • do
Patent EP 1625667 T3


EP 1625667 T3

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 01.03.2004 04715892.8 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (54) (19) PL (11) PL/EP (13) (51) 1625667 T3 Int.Cl. H04B 1/48 (2006.01) (97) O udzieleniu patentu europejskiego ogłoszono: 14.09.2016 Europejski Biuletyn Patentowy 2016/37 EP 1625667 B1 Tytuł wynalazku: Przełączniki antenowe zawierające tranzystory polowe (30) (43) Pierwszeństwo: 25.04.2003 US 423195 Zgłoszenie ogłoszono: 15.02.2006 w Europejskim Biuletynie Patentowym nr 2006/07 (45) O złożeniu tłumaczenia patentu ogłoszono: 31.03.2017 Wiadomości Urzędu Patentowego 2017/03 (73) Uprawniony z patentu: Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ), Stockholm, SE PL/EP 1625667 T3 (72) Twórca(y) wynalazku: JESPER OLSARDEN, Veberöd, SE PER-OLOF BRANDT, Lomma, SE (74) Pełnomocnik: rzecz. pat. Izabela Ludwicka PATPOL KANCELARIA PATENTOWA SP. Z O.O. ul. Nowoursynowska 162 J 02-776 Warszawa Uwaga: W ciągu dziewięciu miesięcy od publikacji informacji o udzieleniu patentu europejskiego, każda osoba może wnieść do Europejskiego Urzędu Patentowego sprzeciw dotyczący udzielonego patentu europejskiego. Sprzeciw wnosi się w formie uzasadnionego na piśmie oświadczenia. Uważa się go za wniesiony dopiero z chwilą wniesienia opłaty za sprzeciw (Art. 99 (1) Konwencji o udzielaniu patentów europejskich). EP 1 625 667 81 Przel~czniki antenowe zawieraj~ce tranzystory polowe Opis Dziedzina techniki [0001] Przedmiotowy wynalazek dotyczy og61nie komunikacji bezprzewodowej, a w szczeg6lnosci przelqcznik6w antenowych. Stan techniki [0002] W ostatnim czasie zwillkszy/o sill zapotrzebowanie na male, zintegrowane urzqdzenia bezprzewodowe. Niestety, integracja willkszej wydajnosci, willkszej liczby funkcji i willkszej liczby us/ug w pojedynczym urzqdzeniu bezprzewodowym nie przyczynia sill w naturalny spos6b do jednoczesnej redukcji rozmiaru urzqdzenia. W rezultacie, producenci i projektanci urzqdzen bezprzewodowych nieustanie usilujq pomiescie coraz to willkszq liczbll komponent6w w mniejszej obudowie, poprzez np. zmniejszanie rozmiar6w istniejqcych komponent6w. Ponadto, wraz ze wzrostem liczby komponent6w w urzqdzeniu, brak miejsca wewnqtrz obudowy moze powodowae zwillkszone straty elektryczne. [0003] Konwencjonalne terminale bezprzewodowe zazwyczaj Sq wyposazane w uklad przelqczajqcy, kt6ry pomi~dzy umozliwia terminalowi bezprzewodowemu przelqczanie terminala bezprzewodowego, tj. przelqcznik antenowych zazwyczaj Sq rozdzielane mi~dzy antenowy. dwa trybem nadawczym a trybem odbiorczym Operacje odr~bne konwencjonalnych przelqcznik6w stopnie, zapewniane przez dwa odr~bne komponenty umieszczone w terminalu bezprzewodowym. Pierwszym stopniem jest stopien wzmacniajqcy przelqcznika antenowego, zapewniany np. przez wzmacniacz mocy, zas drugim stopniem jest stopien przelqczajqcy przelqcznika antenowego, kt6ry prze/qcza pomi~dzy trybem nadawczym a trybem odbiorczym anteny powiqzanej z tym przelqcznikiem antenowym. [0004] Dokument US 5,442,812 ujawnia urzqdzenie przelqcznika antenowego do selektywnego lqczenia anteny albo z nadajnikiem dla nadawania sygnalu nadawczego na cZllstotliwosci nadawczej, albo z odbiornikiem dla odbioru sygnalu odbiorczego na cZllstotliwosci odbiorczej, kt6ra r6zni si~ od cZllstotliwosci nadawczej. To urzqdzenie prze/qcznika antenowego zawiera wyprowadzenie anteny pO/qczone elektrycznie z antenq; wyprowadzenie nadawcze polqczone elektrycznie z nadajnikiem, a takze wyprowadzenie odbiorcze polqczone elektrycznie z odbiornikiem. Istota wynalazku [0005] Zgodnie z pewnymi przykladami wykonania przedmiotowego wynalazku, uk/ad nadawczo-odbiorczy zawiera wzmacniacz transmisji Sprzllzony z antenowym w~zlem wejsciowym/wyjsciowym. Ten wzmacniacz transmisji jest przystosowany do wzmacniania komunikacji, kt6re majq bye transmitowane z tego ukladu nadawczo-odbiorczego. Ten uklad nadawczo-odbiorczy ponadto zawiera odbiornik i tranzystor polowy. Odbiornik zawiera wejscie odbiornika sprzllzone z antenowym polowy jest dolqczony pomi~dzy w~zlem wejsciowym/wyjsciowym. Tranzystor wejsciem odbiornika a elektrycznym punktem odniesienia. Ten tranzystor polowy jest przystosowany do zapewniania rozwarcia obwodu, gdy komunikacje Sq odbierane na wejsciu odbiornika, oraz do zapewniania zwarcia obwodu, gdy komunikacje nie Sq odbierane na wejsciu odbiornika. -2[0006] Ten uk/ad nadawczo-odbiorczy zawiera urzqdzenie izolujqce dolqczone pomi~dzy wzmacniaczem transmisji, a antenowym w~zlem wejsciem odbiornika. Z antenowym wejsciowym/wyjsciowym oraz w~zlem pomi~dzy wejsciowym/wyjsciowym wzmacniaczem transmisji, a sprz~zony jest uk/ad polaryzujqcy. Ten uk/ad polaryzujqcy jest przystosowany do zapewniania niskiej impedancji w urzqdzeniu izolujqcym przy nadawaniu komunikacji ze wzmacniacza transmisji oraz do zapewniania wysokiej impedancji w urzqdzeniu izolujqcym, gdy komunikacje nie Sq nadawane ze wzmacniacza transmisji. Kr6tki opis figur rysunku [0007] Fig. 1 przedstawia rzut perspektywiczny terminali bezprzewodowych, wedlug pewnych przyk/ad6w wykonania przedmiotowego wynalazku. Fig. 2 przedstawia schemat blokowy ukladu komponent6w elektronicznych w terminalu bezprzewodowym z Fig. 1, wed/ug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku. Fig. 3 przedstawia schemat blokowy uklad6w nadawczo-odbiorczych, wedlug pewnych przyk/ad6w wykonania przedmiotowego wynalazku. Fig. 4 przedstawia schemat blokowy linii transmisyjnych wykorzystywanych w ukladach nadawczoodbiorczych, wed/ug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku. Fig. 5 przedstawia wykres ilustrujqcy straty w dB w funkcji rezystancji podloza wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku. Fig. 6 przedstawia schemat blokowy uklad6w prze/qczajqcych zawartych w ukladach nadawczo-odbiorczych, wed/ug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku. Fig. 7 przedstawia schemat blokowy uklad6w nadawczo-odbiorczych, wed/ug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku. Fig. 8A i 8B przedstawia schemat blokowy uk/ad6w polaryzujqcych oraz obwod6w z elementami indukcyjnymi zawartymi w ukladach nadawczo-odbiorczych, wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku. Fig. 9A i 9B przedstawiajq schematy blokowe uklad6w polaryzujqcych oraz obwod6w z elementami indukcyjnymi, zawartych w ukladach nadawczo-odbiorczych, wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku. Fig. 10 przedstawia schemat blokowy uk/ad6w nadawczo-odbiorczych zawierajqcych uklady przelqczajqce oraz uklady polaryzujqce, wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku. Szczeg6/owy opis przyk/ad6w wykonania przedmiotowego wynalazku [0008] Przedmiotowy wynalazek zostanie teraz dok/adniej opisany w odniesieniu do figur dolqczonego rysunku, na kt6rych przedstawione Sq przyklady wykonania przedmiotowego wynalazku. Jednakze ten wynalazek moze bye realizowany w wielu innych postaciach i nie powinien bye pojmowany jako ograniczony do przedstawionych tu przyk/ad6w wykonania; zamiast tego, przyklady te Sq zapewnione, aby niniejsze ujawnienie bylo dogl~bne i kompletne oraz w pelni przekazywalo koncepcj~ przedmiotowego wynalazku osobom wykwalifikowanym. Na figurach rysunku, gdy element jest okreslany jako "sprz~zony" lub "po/qczony" z innym elementem, moze on bye polqczony bezposrednio lub pO/qczony z innym elementem lub obecne mogq bye elementy posredniczqce. W przeciwienstwie, gdy element jest okreslany jako "bezposrednio sprz~zony" lub "bezposrednio pO/qczony" z innym elementem, nie posredniczqce. Podobne odnosniki numeryczne odnoszq si~ wyst~pujq do podobnych element6w na figurach. elementy -3[0009] Przyklady wykonania przedmiotowego wynalazku zostanq teraz opisane ponizej, w odnlesieniu do Fig. 1 do 10. Przyklady wykonania przedmiotowego wynalazku zapewniajq przelqcznik antenowy, ktory moze bye integrowany w jednym ukladzie scalonym, np. na jednym podlozu polprzewodnikowym ukladu scalonego, ze wzmacniaczem, do zastosowan w urzqdzeniach komunikacyjnych, np. terminalach bezprzewodowych. W szczegolnosci, przelqcznik antenowy moze bye zapewniony z zastosowaniem tranzystora polowego (FET, ang. field effect transistor) przystosowanego do przelqczania terminala bezprzewodowego od nadawania komunikacji ze wzmacniacza transmisji, do odbierania komunikacji w odbiorniku. Tranzystory FET w konfiguracjach przelqcznikow, wedlug pewnych przykladow wykonania przedmiotowego wynalazku, Sq aktywowane iflub dezaktywowane w reakcji na napi~ciowy sygnal sterujqcy, w przeciwienstwie do ukladow przelqczajqcych wykorzystywanych w konwencjonalnych przelqcznikach antenowych, np. diodach PIN, ktore Sq aktywowane !flub dezaktywowane w reakcji na prqdowe sygnaly sterujqce. Przykladowe urzqdzenie, ktore wykorzystuje np. diody PIN jako przelqczniki w urzqdzeniu antenowym zostalo omowione w patencie USA nr 6332 071 Brandta. Przelqczniki antenowe wedlug pewnych przykladow wykonania przedmiotowego wynalazku, dzialajq w reakcji na sterujqcy, dzi~ki sygnal czemu te przelqczniki mogq nie pobierac znacznego prqdu, urzqdzenia te mogq miee charakterystyki osiqgow ulepszone pewnych napi~ciowy wzgl~dem konwencjonalnych przelqcznikow antenowych. Wedlug przykladow wykonania przedmiotowego wynalazku, przelqczniki mogq bye Iqczone ze wzmacniaczami transmisji w jednym ukladzie scalonym, tym samym zapewniajqc mniejszq, zintegrowanq konstrukcj~, ktora moze bye bardziej efektywna pod wzgl~dem kosztu w odniesieniu do znanych przelqcznikow antenowych. [0010] Ponadto, przedmiotowy wynalazek dotyczy ukladu polaryzujqcego i izolujqcego, np. diody PIN, zawartych w terminalu bezprzewodowym dla umozliwienia przeplywu sygnalow cz~stotliwosci radiowej (RF, ang. radio frequency) ze wzmacniacza transmisji do anteny przy nadawaniu komunikacji ze wzmacniacza transmisji. [0011] Przelqczniki antenowe zawierajqce tranzystory polowe (FET, ang. field effect transistor), wedlug pewnych przykladow wykonania przedmiotowego wynalazku, mogq bye wbudowywane w terminai bezprzewodowy, np. terminal bezprzewodowy 10 zilustrowany na Fig. 1. Stosowany tu termin "terminal mobilny" lub "terminal bezprzewodowy" moze obejmowac radiotelefon komorkowy z wyswietlaczem tekstowym lub bez niego, terminal PCS (ang. Personal Communications System), ktory mote stanowie pOlqczenie radiotelefonu komorkowego z funkcjami przetwarzania danych, telefaksu i komunikacji danych; urzqdzenie PDA (ang. Personal Data Assistant), ktore moze zawierae radiotelefon, pager, dost~p do sieci InterneUintranet, przeglqdark,,? stron internetowych, organizer, kalendarz i1lub odbiornik systemu GPS (ang. global positioning system); iflub odbiornik konwencjonalnego komputera typu laptop iflub palmtop, lub innego urzqdzenia, ktore zawiera bezprzewodowe urzqdzenie nadawczo-odbiorcze. [0012] Jak zilustrowano, terminal bezprzewodowy 10 moze zawierac obudow,,? 12. Ta obudowa 12 moze zawierae cz,,?sc gornq 13 i cz,,?se dolnq 14 polqczonOl z tq cz,,?sci Ol gornOl 13, a tym samym tworZOlcq wn,,?k,,? pomi,,?dzy nimi. Cz,,?sci obudowy gorna i dolna 13, 14 mogq oslaniae interfejs uzytkownika 15, ktory mote zawierae pewnOl liczb,,? przyciskow 16, wyswietlacz 17 i/lub komponenty elektroniczne (nie pokazane), ktore umotliwiajOl terminalowi bezprzewodowemu 10 nadawanie i odbior sygnalow komunikacyjnych. [0013] Nalety rozumiee, te chociaz przelOlczniki antenowe wedlug pewnych przykladow wykonania przedmiotowego wynalazku zostaly tu opisane w odniesieniu do terminali bezprzewodowych, warianty wykonania przedmiotowego wynalazku nie SOl ograniczone do takiej konfiguracji. Np. przelqczniki antenowe -4wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, mogq bye stosowane w terminalach stacjonarnych, np. stacjach bazowych bezprzewodowego systemu komunikacyjnego. [0014] Odwolujqc sif1 teraz do Fig. 2, om6wiony zostanie ponizej uklad komponent6w elektronicznych, kt6ry umozliwia terminalowi bezprzewodowemu nadawanie i odbi6r sygnal6w komunikacyjnych terminala bezprzewodowego wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku. Jak ziiustrowano, antena 22 do odbioru illub nadawania sygnal6w komunikacyjnych terminala bezprzewodowego jest polqczona elektrycznie z ukladem nadawczo-odbiorczym cZf1stotliwosci radiowej (RF, ang. radio-frequency) 24, kt6ry jest polqczony elektrycznie ze sterownikiem 25, np. mikroprocesorem. Ten sterownik 25 jest polqczony elektrycznie z glosnikiem 26, kt6ry jest przystosowany do nadawania sygnalu z tego sterownika 25 do uzytkownika terminala bezprzewodowego. Sterownik 25 jest takze polqczony elektrycznie z mikrofonem 27, kt6ry odbiera sygna/ glosowy od uzytkownika i nadaje ten sygnal glosowy za posrednictwem tego sterownika 25 i uk/adu nadawczo-odbiorczego 24 do urzqdzenia zdalnego. Sterownik 25 jest polqczony elektrycznie z klawiaturq 15 i wyswietiaczem 17, kt6re umozliwiajq wykorzystywanie tego terminala bezprzewodowego. Przelqczniki antenowe wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku mogq bye wbudowywane w uklad nadawczo-odbiorczy terminala bezprzewodowego, np. ukladu nadawczo-odbiorczego 24 z Fig. 2. [0015] Osoby wykwalifikowane w dziedzinie urzqdzen komunikacyjnych wiedzq, urzqdzeniem, kt6re moze bye wykorzystywane do nadawania illub ze antena jest odbierania sygnal6w elektromagnetycznych. Podczas nadawania, antena moze przyjmowae energif1 z linii transmisyjnej i wypromieniowywae tf1 energif1 w przestrzen. Podczas odbioru, antena moze zbierae energif1 z fali padajqcej i przekazywae tf1 energif1 do Iinii transmisyjnej. lIose mocy wypromieniowywanej lub odbieranej przez antenf1, zazwyczaj jest reprezentowana poprzez zysk. [0016] Odwolujqc sif1 teraz do Fig. 3, om6wiony zostanie schemat blokowy ukladu nadawczo-odbiorczego 300 zawierajqcego przelqcznik antenowy wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku. Nalezy rozumiee, ze uklad nadawczo-odbiorczy wedlug przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku moze bye wbudowywany np. w cyfrowe uklady scalone w technologii CMOS (ang. complementary metal-oxide semiconductor), dedykowane uk/ady scalone (ASIC) cZf1stotliwosci radiowej (RF), uklady ASIC sterownik6w w technologii CMOS itd., bez odchodzenia od objasnien przedmiotowego wynalazku. Jak zilustrowano na Fig. 3, cztery tory sygnalowe odbiornika A, B, C i D Sq polqczone z obwodem wybierajqcym CZf1stotliwose 350. Kazdy z tych czterech odbiorczych tor6w sygnalowych moze bye dedykowany innemu pasmu cZf1stotliwosci. Np. tory sygnalowe A i B mogq bye dedykowane sygnalom w pasmach wysokiej cZf1stotiiwosci, np. w pasmie cZf1stotiiwosci 1800 MHz. To pasmo cZf1stotliwosci 1800 MHz moze odpowiadae CZf1stotliwosciom przydzielonym dla pasma wielodostf1Pu w dziedzinie kodu (CDMA, ang. code division mUltiple access) systemu PCS (ang. personal communications system). Odpowiednio do tego, pierwszy tor sygnalu wysokiej cZf1stotiiwosci A moze bye przydzielony do pierwszej grupy kanal6w w tym pasmie PCS CDMA, zas drugi tor wysokiej CZf1stotiiwosci B moze bye przydzielony do drugiej grupy kana/6w w pasmie PCS CDMA. Podobnie, tory sygnalowe C i D mogq bye dedykowane do sygnal6w z dolnego pasma cZf1stotiiwosci, np. pasma cZf1stotiiwosci 800-830 MHz. To pasmo cZf1stotiiwosci 800 - 830 MHz jest przydzielone dla kom6rkowego systemu CDMA. Odpowiednio do tego, pierwszy tor sygnalowy dolnego pasma C moze bye przydzielony do pasma cZf1stotliwosci 800-815 MHz kanal6w kom6rkowego systemu CDMA, zas drugi tor sygnal6w niskiego pasma moze bye przydzielony do pasma cZf1stotliwosci 815-830 kanal6w kom6rkowego systemu CDMA. Nalezy rozumiee, ze te cZf1stotiiwosci wskazano jedynie w -5celach przykladowych oraz, ze przyk/ady wykonania przedmiotowego wynalazku nie Sq ograniczone do tych cz~stotliwosci. cz~stotliwose [0017] Uk/ad wybierajqcy cz~stotliwose 390, a drugim sprz~gania 350 jest ponadto do/qczony w~zlem cz~stotliwosci antenowego cz~stotliwose pomi~dzy pierwszym antenowym wejsciowym/wyjsciowym 391. Uklad wybierajqcy cz~stotliwosci z pierwszego pasma wejsciowego/wyjsciowego 390 oraz do drugiego 350 jest pO/qczony z antenq 380. Ten uklad wybierajqcy w~zla sprz~gania cz~stotliwosci wejsciowego/wyjsciowego 391. w~zlem wejsciowym/wyjsciowym cz~stotliwose jest przystosowany do w~zla do/z pierwszego antenowego z drugiego pasma Zastosowanie cz~stotliwosci ukladu do/z wybierajqcego 350 moze np. umozliwiae przelqcznikowi antenowemu wspieranie anteny wielopasmowej. Ukladem wybierajqcym cz~stotliwose 350 moze bye np. diplekser, kt6ry moze bye zrealizowany jako szereg filtr6w przystosowanych do przepuszczania pewnych pasm cz~stotliwosci. [0018] Jak om6wiono powyzej, dwa g6rne odbiorcze tory sygnalowe A i B oraz pierwszy nadawczy tor sprz~zone sygnalowy E pierwszego wzmacniacza transmisji 301 Sq z pierwszym antenowym w~zlem wejsciowym/wyjsciowym 390. Podobnie, dolne dwa odbiorcze tory sygna/owe C i D oraz drugi nadawczy tor sygnalowy F drugiego wzmacniacza transmisji 302, Sq sprz~zone z drugim antenowym w~z/em wejsciowym/wyjsciowym 391. [0019] Pierwszy i drugi tor sygnalowy odbiornika wysokiego pasma A i B zostanq om6wione wsp6lnie, poniewaz zawierajq one podobne komponenty. Nalezy rozumiee, ze komponenty w pierwszym i drugim torze sygna/owym odbiornika wysokiego pasma A i B mogq miee r6zne wartosci dla skompensowania r6znych cz~stotliwosci powiqzanych z kazdym torem. Jak zilustrowano na Fig. 3, wszystkie komponenty i bloki tor6w sygna/owych odbiornika A i B Sq sprz~zone z pierwszym antenowym w~zlem Jak ponadto zilustrowano na Fig. 3, pierwszy tor transmisji E takze jest w~zlem wejsciowym/wyjsciowym 390. sprz~zony z pierwszym antenowym wejsciowym/wyjsciowym 390. Nalezy rozumiee, ze pierwszy wzmacniacz transmisji 301 moze bye sprz~zony z dodatkowym uk/adem, kt6ry stanowi interfejs/komunikuje si~ z innymi komponentami umieszczonymi w terminalu mobilnym, np. sterownikiem 25 z Fig. 2. Pierwszy wzmacniacz transmisji 301 jest przystosowany do wzmacniania komunikacji, kt6re majq zostae nadane z terminala bezprzewodowego. [0020] Wyprowadzenie wyjsciowe pierwszego wzmacniacza transmisji 301 moze bye polqczone z pierwszym wyprowadzeniem elementu indukcyjnego L2. Drugie wyprowadzenie elementu indukcyjnego L2 moze bye polqczone z pierwszym wyprowadzeniem kondensatora C1, zas drugie wyprowadzenie kondensatora C1 moze bye polqczone z elektrycznym punktem odniesienia, np. masq. Elektryczny punkt odniesienia moze tu stanowie napi~cie dodatnie, 301 moze bye zasilany napi~ciem zasilania wartosci. Napi~cie V. napi~cie V. ujemne, masa itp. Ponadto, pierwszy wzmacniacz za posrednictwem elementu indukcyjnego 0 wysokiej moze bye np. napi~ciem baterii zasilajqcej terminal bezprzewodowy. [0021] Drugie wyprowadzenie elementu indukcyjnego L2 oraz pierwsze wyprowadzenie kondensatora C1 mogq takze bye polqczone z urzqdzeniem izolujqcym, np. pierwszq diodq PIN 310. Ta pierwsza dioda PIN 310 moze np. izolowae pierwszy wzmacniacz transmisji 301 od antenowego w~zla wejsciowego/wyjsciowego 390, gdy terminal bezprzewodowy odbiera komunikacje w odbiorniku 370 lub 371. Innymi slowy, pierwsza dioda PIN 310 moze pelnie rol~ klucza transmisji. Nalezy rozumiee, ze chociaz urzqdzenie izolujqce jest tu zilustrowane jako dioda PIN, to urzqdzenie izolujqce nie jest ograniczone do tej konfiguracji. Np. urzqdzenie izolujqce moze bye realizowane za pomocq np. linii transmisyjnej IUb elementu indukcyjnego, bez odchodzenia od objasnieri przedmiotowego wynalazku. -6[0022] Wyprowadzenie wyjsciowe diody PIN 310 jest polqczone z antenowym wE;zlem wejsciowym/wyjsciowym 390. Kondensator C7 i filtr dolnoprzepustowy 360 mogq bye dolqczone szeregowo pomiE;dzy antenowym wE;zlem wejsciowym/wyjsciowym 390, a ukladem wybierajqcym CZE;stotliwose 350. Kondensator C3, C4 jest dolqczony pomiE;dzy antenowym wE;zlem wejsciowym/wyjsciowym a masq. Linia transmisyjna 320, 321 oraz kondensator C30, C31 Sq polqczone szeregowo z kondensatorem Cds pomiE;dzy antenowym wE;z/em wejsciowym/wyjsciowym 390 a masq. Linia transmisyjna 320, 321 moze np. miee d/ugose r6wnq 1/4 dlugosci fali (Iub dowolnej wielokrotnosci 1/4 dlugosci fali) w wysokim pasmie. Nalezy rozumiee, ze do linii transmisyjnych wed/ug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku mogq zaliczae siE; np. linie mikropaskowe, elementy indukcyjne itp. [0023] Linie transmisyjne 320, 321 oraz uklad przelqczajqcy 330, 331 Sq dolqczone szeregowo pomiE;dzy antenowym wE;zlem wejsciowym/wyjsciowym 390, a elektrycznym punktem odniesienia, np. masq. Uk/ad przelqczajqcy 330; 331 uruchamia siE; w reakcji na sygnaly sterujqce ze sterownika bramki 340, 341, zas wejscie odbiornika 370, 371 jest pO/qczone z wE;zlem Q, R pomiE;dzy Iiniq transmisyjnq 320, 321 a uk/adem przelqczajqcym 330, 331. Nalezy rozumiee, ze odbiornikiem 370, 371 moze bye port odbiornika, kt6ry zawiera uklady, bezprzewodowego, kt6re umozliwiajq odbi6r sygnalu komunikacyjnego przez a takze interfejs z dodatkowym ukladem w terminalu odbiornik terminala bezprzewodowym, np. sterownikiem 25 z Fig. 2. Uklad przelqczajqcy 330, 331 umozliwia terminalowi bezprzewodowemu przelqczanie pomiE;dzy odbiorem komunikacji w odbiorniku 370, 371 a nadawaniem komunikacji ze wzmacniacza nadawczego 301. Nalezy rozumiee, ze terminale bezprzewodowe, wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, mogq takze bye w stanie bezczynnosci, tj. nie nadawae ani nie odbierae komunikacji. W przykladach wykonania, w kt6rych terminal bezprzewodowy jest bezczynny, uklad przelqczajqcy 330, 331 moze bye skonfigurowany tak, jakby nadawal informacje ze wzmacniacza transmisji. Uklady prze/qczajqce wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku zostanq om6wione ponizej w odniesieniu do Fig. 6. [0024] Pierwszy i drugi tor sygna/owy odbiornika niskiego pasma C i D zostanq om6wione wsp6lnie, poniewaz zawierajq one podobne komponenty. Nalezy rozumiee, ze komponenty w pierwszym i w drugim torze sygnalowym odbiornika niskiego pasma C i D mogq miee r6zne wartosci dla skompensowania r6znych cZE;stotliwosci, kt6re Sq powiqzane z kazdym torem. Jak zilustrowano na Fig. 3, wszystkie komponenty i bloki tor6w sygnalowych C i D Sq sprzE;zone z drugim antenowym wE;zlem wejsciowym/wyjsciowym 391. Jak ponadto zilustrowano na Fig. 3, drugi tor transmisji F jest takze sprzE;zony z drugim antenowym wE;z/em wejsciowym/wyjsciowym 391. Nalezy rozumiee, ze drugi wzmacniacz transmisji 302 moze bye sprzE;zony z dodatkowym ukladem, kt6ry stanowi interfejs/komunikuje siE; z innymi komponentami umieszczonymi w terminalu mobilnym, np. sterownikiem 25 z Fig. 2. Drugi wzmacniacz transmisji 302 jest przystosowany do wzmacniania komunikacji, kt6re maja bye nadawane z terminala bezprzewodowego. [0025] Wyprowadzenie wyjsciowe drugiego wzmacniacza transmisji 302 moze bye polqczone z pierwszym wyprowadzeniem elementu indukcyjnego L4. Drugie wyprowadzenie elementu indukcyjnego L4 moze bye polqczone z pierwszym wyprowadzeniem kondensatora C2, zas drugie wyprowadzenie kondensatora C2 moze bye polqczone z elektrycznym punktem odniesienia, np. masq. Elektryczny punkt odniesienia moze tu stanowie napiE;cie dodatnie, napiE;cie ujemne, masa itp. Ponadto, drugi wzmacniacz 302 moze bye zasilany napiE;ciem zasilania Vs za posrednictwem elementu indukcyjnego 0 duzej wartosci L3. NapiE;ciem Vs moze bye np. napiE;cie baterii zasilajqcej terminal bezprzewodowy. -7[0026] Drugie wyprowadzenie elementu indukcyjnego L4 oraz pierwsze wyprowadzenie kondensatora C2 mogq takze bye polqczone z urzqdzeniem izolujqcym, np. drugq diod q PIN 311. Ta druga dioda PIN 311 moze np. izolowae drugi wzmacniacz transmisji 302 od antenowego wllzla wejsciowego/wyjsciowego 391, gdy terminal bezprzewodowy odbiera komunikacje w odbiorniku 372 lub 373. Innymi slowy, druga dioda PIN 311 moze pelnie rolll klucza transmisyjnego. Nalezy rozumiee, ze chociaz urzqdzenie izolujqce zilustrowano tu jako diodll PIN, to urzqdzenie izolujqce nie jest ograniczone do tej konfiguracji. Np. urzqdzenie izolujqce moze bye realizowane za pomocq np. Iinii transmisyjnej lub elementu indukcyjnego, bez odchodzenia od objasnieli przedmiotowego wynalazku. [0027] Wyprowadzenie wyjsciowe diody PIN 311 jest polqczone z antenowym wllzlem wejsciowym/wyjsciowym 391. Kondensator C8 i filtr dolnoprzepustowy 361 mogq bye dolqczone szeregowo pomilldzy antenowym wllzlem wejsciowym/wyjsciowym 391 a ukladem wybierajqcym CZllstotliwose 350. Kondensator C5, C6 jest dolqczony pomilldzy antenowym wllzlem wejsciowym/wyjsciowym a masq. Linia transmisyjna 322, 323 oraz kondensator C32, C33 Sq polqczone szeregowo z kondensatorem Cds pomilldzy antenowym wllzlem wejsciowym/wyjsciowym 391 a elektrycznym punktem odniesienia, np. masq. Linia transmisyjna 322, 323 moze np. miee dlugosc 1/4 dlugosci fali (Iub jej wielokrotnosci) w dolnym pasmie. Nalezy rozumiee, ze do Iinii transmisyjnych wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku mogq zaliczae sill np. linie mikropaskowe, elementy indukcyjne itp. [0028] Linia transmisyjna 322, 323 oraz uklad przelqczajqcy 332, 333 Sq polqczone szeregowo pomilldzy antenowym wllzlem wejsciowym/wyjsciowym 391 a elektrycznym punktem odniesienia, np. masq. Uklad przelqczajqcy 332, 333 uruchamia sill w reakcji na sygnaly sterujqce ze sterownika bramki 342, 343, zas wejscie odbiornika 372, 373 jest sprzllzone z wllzlem S, T pomilldzy Iiniq transmisyjnq 322, 323 a ukladem przelqczajqcym 332, 333. Nalezy rozumiee, ze odbiornikiem 372, 373 moze bye port odbiornika, kt6ry zawiera uklady, kt6re umozliwiajq odbi6r komunikowanego sygnalu przez odbiornik terminala radiowego, a takze interfejs z dodatkowymi ukladami w terminalu bezprzewodowym, np. sterownikiem 25 z Fig. 2. Uklad przelqczajqcy 332, 333 umozliwia terminalowi bezprzewodowemu przelqczanie pomilldzy odbiorem komunikacji w odbiorniku 372, 373 a nadawaniem komunikacji ze wzmacniacza transmisji 302. Nalezy rozumiee, ze terminale bezprzewodowe wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku mogq takze bye w stanie bezczynnosci, tj. nie nadawae ani nie odbierae komunikacji. W przykladach, w kt6rych terminal bezprzewodowy jest bezczynny, uklad przelqczajqcy 332, 333 moze bye skonfigurowany tak, jakby nadawal informacje ze wzmacniacza transmisyjnego. Uklady przelqczajqce wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, zostanq om6wione ponizej w odniesieniu do Fig. 6. [0029] Nalezy rozumiee, ze chociaz om6wione tu przyklady wykonania przedmiotowego wynalazku zawierajq dwa wzmacniacze transmisji 301 i 302 oraz cztery odbiorniki 370, 371, 372 i 373 sprzllzone z pojedynczq antenq 380 za posrednictwem dipleksera 350, przyklady wykonania przedmiotowego wynalazku nie Sq ograniczone do tej konfiguracji. Uklady nadawczo-odbiorcze wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku mogq zawierae willkszq lub mniejszq Iiczb~ wzmacniaczy transmisji i/lub odbiornik6w, bez odchodzenia od objasnieli przedmiotowego wynalazku. [0030] Om6wiona powyzej dioda PIN 310, 311 moze powodowae, ze uklad zilustrowany na Fig. 3 doswiadcza strat, gdy terminal bezprzewodowy nadaje komunikacje ze wzmacniacza transmisji 301, 302. Odpowiednio do tego, elementy indukcyjne L2 i L4 oraz kondensatory C1 i C2 Sq wybierane tak, aby zapewnialy wzgllldnie wysok q impedancje wraz z tranzystorem wyjsciowym (nie pokazanym) wzmacniaczy -8transmisji 301 i 302, a zatem nie mogly znaczqco wplywae na odbierany sygnal, gdy terminal bezprzewodowy odbiera komunikacje w odbiorniku. [0031] W pewnych przykladach wykonania przedmiotowego wynalazku, dioda PIN 310, 311 maze bye zastqpiona przez np. lini~ mikropaskowq do strojenia, tj. do minimalizacji wplywu wzmacniaczy transmisji 301 i 302 na sygnal odbierany gdy terminal bezprzewodowy odbiera komunikacje w odbiorniku. Natomiast, jezeli cewki L2 i L4 oraz kondensatory C1 i C2 Sq w rezonansie r6wnoleglym na cz~stotliwosci nosnej, ta linia mikropaskowa maze nie bye potrzebna. [0032] Gdy jeden z odbiornik6w zilustrowanych na Fig. 3 jest aktywowany przez wylqczenie klucza 330, 331, 332 i1lub 333, powiqzanego z pozqdanym torem odbiorczym, zazwyczaj drugi klucz cz~stotliwosci radiowej (RF) wsp61dzielqcy wzmacnlacz transmlsji zostaje wlqczony, aby nie zmniejszae mocy w pozqdanym torze. Uklady przelqczajqce 330 do 333 wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku mogq zawierae klucze, kt6re Sq sterowane napi~ciem, a zatem mogq nie pobierae znacznego prqdu i1lub mocy. Tego typu klucz mozna zapewnie za uzyciem np. tranzystora polowego (FET) jak om6wiono ponizej. [0033] Nalezy rozumiee, ze chociaz przyklady wykonania przedmiotowego wynalazku om6wiono w odniesieniu do tranzystor6w MOSFET (ang. metal oXide semiconductor field effect transistor), przyklady wykonania przedmiotowego wynalazku nie Sq ograniczone do tej konfiguracji. Np. mogq bye takze stosowane tranzystory MESFET (ang. metal semiconductor field effect transistor), zlqczowe tranzystory polowe (JFET, ang. junction field effect transistor) illub tranzystory PHEMT (ang. pseudomorphic highelectron-mobility transistor), w pOlqczeniu z tranzystorami HBT, MESFET, JFET lub PHEMT na podlozu z arsenku galu (GaAs) dla zapewnienia ukladu przelqczajqcego, kt6ry takze nie pobiera znacznego prqdu przez bramk~ wi~kszej sterujqcq. Przyklady wykonania przedmiotowego wynalazku, z wykorzystaniem jednej lub liczby tych innych mozliwosci mogq bye bardziej kosztowne niz przyklady wykonania przykladowego wynalazku, z wykorzystaniem tranzystor6w MOSFET pelniqcych role kluczy, jak tu om6wiono. [0034] Odwolujqc transmisyjnych si~ wedlug teraz do Fig. 4, om6wiony zostanie inny mozliwy przyklad wykonania linii pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku. W pewnych przykladach wykonania przedmiotowego wynalazku, dlugose linii transmisyjnej lub mikropaskowej maze zostae skr6cona przez zastqpienie istniejqcej linii transmisyjnej r6wnowaznq liniq transmisyjnq jak zilustrowano na Fig. 4. W szczeg6lnosci, linie transmisyjne wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, mogq bye realizowane z uzyciem element6w skupionych lub polqczenia element6w skupionych i linii transmisyjnych. Np. 90-stopniowa linia transmisyjna 400 zilustrowana na Fig. 4 maze zostae zastqpiona kr6tszq liniq transmisyjnq 410. R6znica dlugosci maze zostae skompensowana poprzez dodanie pojemnosci na wejsciu i1lub wyjsciu linii transmisyjnej 410. Jak zilustrowano na Fig. 4, r6Znica dlugosci jest kompensowana poprzez dodanie kondensatora C20 na wejsciu kr6tszej linii transmisyjnej oraz kondensatora C21 na wyjsciu kr6tszej linii transmisyjnej. Nalezy rozumiee, ze linie transmisyjne wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, mogq takze bye wydluzane poprzez odwrotny proces, tj. linia transmisyjna 410 oraz kondensatory C20 i C21 mog q zostae zastqpione dluzszq liniq transmisyjnq 400. Odpowiednio do tego, np. linia transmisyjna 320, kondensator C3 i kondensator Cds z Fig. 3 mogq zostae zastqpione dluzszq liniq transmisyjnq, jak zilustrowano na Fig. 4. [0035] Jak om6wiono powyzej, tranzystory FET mogq bye skonfigurowane jako klucze i zawarte w powyzej ukladach przelqczajqcych 330, 331, 332, 333 opisanych w odniesieniu do Fig. 3. Klucze FET wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, uruchamiajq si~ w reakcji na napi~cie -9sterujqce, zatem te klucze mog q redukowae pob6r prqdu i/lub mocy. Natomiast klucze FET mogq obsfugiwae wzgllldnie ograniczony zakres napille, wystllpuje w nich silne sprzllzenie z krzemowym (Si) podfozem oraz wystllpuje w nich duza pojemnosc milldzy drenem a zr6dlem. Przyklady wykonania przedmiotowego wynalazku, odnoszq sill do tych charakterystyk kluczy MOSFET jak om6wiono ponizej. [0036] Nalezy rozumiee, ze om6wionymi tu tranzystorami MOSFET mogq bye np. tranzystory MOSFET z kanalem typu "n" (NMOS) lub typu "p" (PMOS). Przykfady wykonania przedmiotowego wynalazku zostanq tu om6wione z wykorzystaniem tranzystor6w NMOS, ale nalezy rozumiee, ze przyklady wykonania przedmiotowego wynalazku nie Sq ograniczone do tej konfiguracji. Tranzystory NMOS mogq miee poloWIl rezystancji tranzystora PMOS 0 tej samej dIugosci. Natomiast tranzystory NMOS mogq bye wytwarzane w studni typu "p", kt6ra ma bezposredni kontakt z resztq podloza: [0037] Przy wykorzystaniu tranzystor6w NMOS jako kluczy, wedfug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, pojemnose pasozytnicza milldzy drenem a zr6dlem tranzystora NMOS moze zostae zmniejszona, aby klucz m6g1 pracowae przy willkszych CZllstotliwosciach. Pojemnose pasozytnicza milldzy drenem a zr6dlem tranzystora NMOS moze zostae zredukowana przez zmniejszenie pojemnosci, kt6re tworzq pojemnose milldzy drenem a zr6dfem. Np. jedna z CZllsci pojemnosci milldzy drenem a zr6dlem tranzystora zawiera pojemnosci milldzy bramkq a drenem oraz bramkq a zr6dlem. Przy sterowaniu bramkq przez urzqdzenie wysokoomowe lub element rezystancyjny, np. rezystor, mozliwe jest, aby efektywna pojemnosc milldzy drenem a zr6dlem poprzez bramkll wyniosla pofoWIl pojemnosci milldzy bramkq a drenem, poniewaz pojemnosci milldzy bramkq a zr6dlem i bramkq a drenem Sq polqczone szeregowo. [0038] Dodatkowe komponenty pojemnosci milldzy drenem a zr6dlem tranzystora stanowiq pojemnose milldzy drenem a podfozem i milldzy zr6dlem a podlozem. Moze bye mozliwe zmniejszenie 0 poloWIl r6wniez tych pojemnosci, poprzez zapewnienie wysokoomowego kontaktu milldzy studniq "p" a masq, tj. uziemienia tej studni "p" do podloza 0 rezystancji podloza Rsub. Nalezy rozumiee, ze sposoby zmniejszania pojemnosci pasozytniczej milldzy drenem a zr6dlem, wedfug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, mogq redukowae pojemnose milldzy drenem a zr6dlem dla zapewnienia zmniejszonej pojemnosci milldzy drenem a zr6dlem, ale ze ta pojemnose milldzy drenem a zr6dlem nadal moze degradowae dziafanie klucza przy wyzszych cZllstotliwosciach. Uklady, kt6re mogq rozwiqzywae problem pozostalej pojemnosci milldzy drenem a zr6dlem, zostanq om6wione ponizej. [0039] Charakterystyki promieniowania anten cZllsto Sq wykreslane z wykorzystaniem wsp61rzlldnych biegunowych. Wsp61czynnik fali stojqcej (VSWR, ang. Voltage Standing Wave Ratio) odnosi sill do dopasowania impedancji punktu zasilania anteny do linii zasilajqcej lub Iinii transmisyjnej urzqdzenia komunikacyjnego, np. terminala bezprzewodowego. Dla wypromieniowywania energii na cZllstotliwosci radiowej z minimalnq stratq lub dla przekazywania odbieranej energii na cZllstotliwosci radiowej (RF) do odbiornika terminala bezprzewodowego z minimalnq stratq, impedancja anteny terminala bezprzewodowego konwencjonalnie jest dopasowywana do impedancji linii transmisyjnej lub punktu zasilania. [0040] Odwolujqc sill teraz do Fig. 5, om6wiony zostanie wykres ilustrujqcy straty (dB) w funkcji rezystancji podloza. Jak zilustrowano na Fig. 5, przy wykorzystaniu tranzystor6w NMOS, wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, moze bye zachowywana wysoka rezystancja podloza, poniewaz im wyzsza jest rezystancja podloza, tym nizsze Sq straty (dB). W pewnych przykladach wykonania przedmiotowego wynalazku, rezystancja podloza (Rsub) wynosi ok. 300 om6w. Jak ponadto zilustrowano wykresem z Fig. 5, mozliwe jest uzyskanie odpowiedniego dzialania, gdy kontakt z podlozem rna rezystancjll o om6w, ale przy tej rezystancji, najmniejszy wzrost rezystancji kontaktu z podfozem blldzie degradowal - 10 dzialanie. Jezeli stosowana jest rezystancja kontaktu wynoszqca 300 om6w, wzrost rezystancji kontaktu moze zasadniczo nie wplywae na dzialanie klucza. Nalezy rozumiee, ze wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, podloze moze bye dobrze uziemione, aby reszta ukladu funkcjonowala poprawnie. [0041J Odnoszqc si~ teraz do Fig. 6, om6wiony zostanie uklad przelqczajqcy 330, 331, 332, 333 wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku. Dia zWi~zlosci om6wiony zostanie jedynie tor sygnalowy odbiornika A, S, Club D oraz jeden tor sygnalowy nadajnika E lub F z Fig. 3, poniewaz kazdy tor zawiera podobne komponenty. Nalezy rozumiee, ze wartosci tych komponent6w mogq bye r6Zne, poniewaz kazdy tor jest dedykowany dla innego pasma cz~stotliwosci, jak om6wiono powyzej. Jak zilustrowano na Fig. 6, uklad przelqczajqcy 330, 331, 332, 333 zawiera tranzystor polowy 620, kt6ry jest dolqczony pomi~dzy wejsciem odbiornika 370, 371, 372, 373 i wyprowadzeniem wejsciowym kondensatora Cds, a elektrycznym punktem odniesienia, np. masq. Odbiornikiem 370, 371, 372, 373, moze bye om6wiony powyzej odbiornik g6rnego pasma lub dolnego pasma. Nalezy rozumiee, ze odbiornikiem 370, 371, 372, 373 moze bye port komunikacj~ odbiornika, kt6ry zawiera np. filtry i kondensatory, kt6ry moze umozliwiae z dodatkowymi ukladami w terminalu bezprzewodowym, np. sterownikiem 25 z Fig. 2. [0042J W szczeg6lnosci, w przykladach wykonania przedmiotowego wynalazku zilustrowanych na Fig. 6, uklad przelqczajqcy 330, 331, 332, 333 zawiera tranzystor NMOS 620. W przykladach wykonania przedmiotowego wynalazku zilustrowanych na Fig. 6, zastosowane zostaly om6wione powyzej sposoby redukcji pojemnosci mi~dzy zr6dlem a drenem tranzystora NMOS. Np. bramka 621 tranzystora NMOS 620 jest sterowana przez urzqdzenie wysokoomowe i1lub element rezystancyjny, np. rezystor 610, dla redukcji pojemnosci mi~dzy drenem a zr6dlem tranzystora NMOS jak om6wiono powyzej. Rezystor moze takze bye uzyteczny dla redukcji pojemnosci izoluje napi~cie wplywu napi~cia mi~dzy bramkq a zr6dlem i mi~dzy bramkq a drenem. Rezystor 610 takze sterujqce bramki 340, 341, 342, 343 od bramki 621 tranzystora NMOS 620 dla redukcji sterujqcego bramki 340, 341, 342, 343 na sygnal RF tranzystora NMOS. [0043J Ponadto, obszar kanalu tranzystora NMOS 620 zostal sprz~zony z masq przez tylnq stron~ W szczeg6lnosci, studnia typu "p" tranzystora NMOS zostala uziemiona do podloza, kt6re ma podloza. rezystancj~ RSob 611. Rezystancja podloza moze wynosie ok. 300 om6w, jak om6wiono powyzej w odniesieniu do Fig. 5. Zatem, kondensator Cds moze miee pojemnose r6wnq pojemnosci mi~dzy drenem a rezystancjq zr6dla tranzystora NMOS 620, kt6ra zostala zmniejszona sposobami om6wionymi powyzej. Jak zilustrowano na Fig. 6, kondensator Cds zazwyczaj nie jest idealnym kondensatorem, a zatem posiada pewnq pasozytniczq Rcds (rezystancj~ pojemnosci mi~dzy [0044J Dren 622 tranzystora NMOS 620 jest rezystancj~ drenem a zr6dlem tranzystora polowego). sprz~zony z liniq transmisyjn q 320, 321, 322, 323 (nie pokazanq) przez kondensator C30, C31, C32, C33, aby dioda PIN 310, 311 (nie pokazana) mogla bye sterowana przez doprowadzanie napi~cia stalego (DC) przez t~ lini~ transmisyjnq 320, 321, 322, 323. Kondensator C30, C31, C32, C33 chroni tranzystor NMOS 620 przed tym C31, C32, napi~ciem DC. Kondensator C30, C33 zazwyczaj ma bardzo duzq pojemnose, aby nie degradowal dzialania ukladu przelqczajqcego 330, 331,332, 333. [0045J Linie transmisyjne 601 i 602 reprezentujq dlugose przewodu pomi~dzy drenem 622 a zr6dlem 623 tranzystora NMOS 620. Jezeli Iinie transmisyjne 601 I 602 Sq dobrane tak, aby byly w rezonansie szeregowym, gdy tor odbiorczy jest aktywny, wartosc C30, C31, C32, C33 moze bye latwiejsza do zrealizowania. Np. jezeli pasmo odbiorcze znajduje si~ na cz~stotliwosci 1800 MHz, C30, C31, C32, C33 mogq bye wybrane jako 10 pF, a odpowiednia indukcyjnose Iinii transmisyjnych 601 i 602 wynosilaby okolo - 11 0,78nH (indukcyjnosc linii transmisyjnej 601 + indukcyjnosc lin II transmisyjnej 602). Nalezy rozumiee, ze linle transmlsyjne 601 i 602 mogq bye lqczone w jednq lini~ transmisyjnq, jak omowlono powyzej w odniesieniu do Fig. 4. Ta pojedyncza Iinia transmisyjna moze bye pO/qczona albo ze trod/em 623, albo z drenem 622 tranzystora NMOS 620 bez odchodzenia od objasnien przedmiotowego wynalazku. Ponadto, w pewnych przyk/adach wykonanla, linie transmisyjne 601 i 602 mogq zostae zastqpione np. elementami indukcyjnymi lub liniami mlkropaskowymi. [0046] Zostanle teraz omowione dzialanie tranzystora polowego zllustrowanego na Fig. 6 w odniesieniu do Fig. 6. Tranzystor NMOS 620 jest przystosowany do zapewniania rozwarcia obwodu przy odbieranlu komunikacji na wejsciu odbiornika 370, 371, 372, 373 oraz do zapewnlania zwarcla obwodu, gdy komunikacje nle Sq odbierane na wejsciu odbiornika 370, 371, 372, 373. W szczegolnosci, gdy sterownik bramki 340, 341, 342 i 343 utrzymuje napi~cie, tranzystor NMOS 620 wlqcza sl~ i efektywnie staje sl~ rezystorem. Powoduje to, ze Iinia transmisyjna 320, 321, 322, 323 (nle pokazana) oraz kondensator C3, C4, C5, C6 efektywnie stajq si~ urzqdzenlem wysokoomowym. Zasadniczo od/qcza to tor odbiorczy, ponlewaz sygnaly przeplywajq torem 0 najmniejszej rezystancjl, w tym przypadku do anteny 380 (nie pokazanej) dla nadania. Z druglej strony, gdy NMOS 620 wylqcza si~. napl~cie sterujqce bramki 340, 341, 342, 343 nie jest utrzymane, tranzystor Powoduje to, ze rezystancja toru odblorczego ulega zmniejszenlu, a sygnaly w torze z anteny 380 (nle pokazanej) zostajq przekierowane do odbiornika 370, 371, 372, 373. Ponadto, dioda PIN 310, 311 takze izoluje wzmacniacz nadawczy 301, 302 oraz tor nadawczy dla sygnalu odbleranego, gdy tranzystor NMOS 620 jest wylqczony. [0047] Odwolujqc sl~ teraz do Fig. 7, omowiony zostanie uklad nadawczo-odblorczy zawierajqcy uklady do polaryzacjl I/lub sterowanla ukladem izolujqcym, wedlug przedmlotowego wynalazku. Szczegoly odnoszqce sl~ do komponentow ukladu nadawczo-odbiorczego 700 omowionego w odnleslenlu do Fig. 3 zostanq pomini~te w omowieniu Fig. 7, poniewaz szczegoly tych komponentow przedstawlono powyzej. Omowione zostanq jeden odblorczy tor sygna/owy i jeden transmlsyjny tor sygna/owy, poniewat kazdy z torow odbiorczych i torow transmisyjnych zawiera podobne komponenty. Nalezy rozumiee, ze komponenty w transmisyjnych i odblorczych torach sygnalowych mogq mlee rozne wartosci dla skompensowania roznych cz~stotllwoscl, ktore Sq powlqzane z kazdym z torow. Jak zilustrowano na Fig. 7, urzqdzenie nadawczo- odbiorcze 700, zawiera ponadto uklad z elementem indukcyjnym 850, 851 oraz kondensator blokujqcy skladowq DC CB1, CB2, sprz~zone szeregowo pomi~dzy kondensatorem C1, C2 a antenowym wejsciowym/wyjsciowym 390, 391. Ponadto, uklad polaryzujqcy 790, 791, 792, 793 jest sprz~zony z w~z/em w~zlem Q, R, SiT pomi~dzy liniq transmlsyjnq 320,321,322,323 a ukladem przelqczajqcym 330, 331, 332, 333. [0048] Uklady polaryzujqce 790, 791, 792 i 793, wedlug pewnych przykladow wykonania przedmiotowego wynalazku, Sq przystosowane do zapewniania niskiej impedancji w urzqdzeniu izolujqcym 310, 311 (Fig. 3) przy nadawaniu komunikacjl ze wzmacnlacza transmisji 301, 302 oraz do zapewnlania wysokiej impedancjl w urzqdzenlu izolujqcym 310, 311 (Fig. 3), gdy komunlkacje nie Sq nadawane ze wzmacniacza transmisji 301, 302. Odpowiednio do tego, gdy terminal bezprzewodowy odblera komunikacje w odbiorniku, uklad polaryzujqcy zapewnia wysok q impedancj~ w urzqdzeniu izolujqcym. Nalezy rozumiee, ze terminal bezprzewodowy wedlug pewnych przykladow wykonanla przedmiotowego wynalazku, moze takze bye w stanle bezczynnosci, nle nadajqc ani nle odbierajqc komunlkacji. Uklady z elementaml indukcyjnymi 850 I 851 zapewnlajq sprz~zenie rezystancyjne wyjscia wzmacniacza transmisji, jak omowiono ponlzej w odniesienlu do Fig. 8A, 8B, 9A I 9B. Kondensator blokujqcy skladowq DC CB1, CB2 separuje ukladu z elementem indukcyjnym 850, 851. napl~cle V, od - 12 [0049] Odwoluj'lc sill teraz do Fig. 8A i 88, uklady polaryzuj'lce 790, 791, 792, 793, wedlug pewnych przyk/ad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, mog'l zawierae tranzystor bipolarny 720 oraz napillcie steruj'lce PIN 730. Uklady z elementem indukcyjnym 850, 851 mog'l zawierae element indukcyjny L10 oraz diodll PIN 310, 311. Dioda PIN 310, 311 moze bye ulozona wstecznie, zas wyprowadzenie diody PIN 310, 311 jest pol'lczone z elementem indukcyjnym L10, kt6ry jest takze pO/'lczony z mas'l. Tranzystor bipolarny 720 ma emiter 721 Sprzllzony elektrycznie z odbiornikiem 370, 371, 372, 373 na wejsciu odbiornika przez rezystor 710, kolektor 722 sprzllzony elektrycznie z napillciem Vs oraz bazll 724 SprZllzOn'l elektrycznie z napillciem steruj'lcym PIN 730. [0050] Om6wione teraz zostanie dzialanie ukladu polaryzuj'lcego w odniesieniu do Fig. 8A i 88. Sprzllzenie rezystancyjne wyjscia wzmacniacza transmisji z mas'l' jest zapewnione przez element indukcyjny L10. Uk/ad polaryzuj'lcy 790, 791, 792, 793 jest ponadto przystosowany do sprzllgania antenowego wllzla wejsciowegoiwyjsciowego 390, 391 z napillciem wejsciowym przy nadawaniu komunikacji ze wzmacniacza transmisji 301, 302 oraz do odprzllgania tego antenowego wllzla wejsciowegoiwyjsciowego 390, 391 od napillcia zasiiania, gdy komunikacje nie S'l nadawane ze wzmacniacza transmisji 301, 302. Zatem, gdy uklad przel'lczaj'lcy 330, 331, 332, 333 wl'lcza tranzystor NMOS, tor odbiorczy zostaje zasadniczo wyl'lczony. W tym momencie, sygna/ pr6buje przeplywae przez diodll PIN 310, 311 ze wzmacniacza transmisji 301, 302 do anteny 380 (nie pokazanej), ale moze nie m6c przep/yn'le. W zwi'lzku z tym, napillcie steruj'lce pin 730 zostaje wystawione w ukladzie polaryzuj'lcym, a tranzystor bipolarny 720 wl'lcza sill, co sprzllga antenowy wllze/ wejsciowyiwyjsciowy 390, 391 z napillciem zasilania i umozliwia sygna/om RF przep/yw przez diodll PIN 310, 311 do anteny 380. [0051] Odwoluj'lc sill teraz do Fig. 9A i 98, uklady polaryzuj'lce 790, 791, 792, 793, wed/ug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, mog'l zawierae tranzystor bipolarny 820 oraz napillcie steruj'lce PIN 830. Uklady z elementem indukcyjnym 850, 851 mog'l zawierae element indukcyjny L10 oraz diodll PIN 310, 311. Element indukcyjny L10 jest pol'lczony elektrycznie z napillciem Vs. Gdy napillcie Vs, kt6re jest napillciem stalym, np. napillciem baterii telefonu, zostaje wystawione, element indukcyjny L10 zostaje podci'lgnillty do tego napillcia Vs. Wyprowadzenie wejsciowe diody PIN 310, 311 jest pO/'lczone z napillciem stalym, co umozliwia doprowadzenie napillcia stalego do toru nadawczego. Kolektor 822 tranzystora bipolarnego 820 jest pO/'lczony z odbiornikiem 370, 371, 372, 373 przez rezystor 810. Emiter 821 tranzystora bipolarnego jest pol'lczony z podlozem (mas'l)' zas baza 824 tranzystora bipolarnego jest pO/'lczona z napillciem steruj'lcym PIN 830. Przyklady wykonania ukladu polaryzuj'lcego ziiustrowanego na Fig. 8A mog'l ponadto redukowae uplywy powodowane przez szum na CZllstotliwosciach radiowych (RF), wzgllldem przyklad6w wykonania ziiustrowanych na Fig. 9A, poniewaz na Fig. 8A emiter 721 tranzystora 720 nie jest bezposrednio pO/'lczony z pod/ozem (mas'l)' a zatem szum RF wytwarzany przez wzmacniacz mocy poprzez pr'ld wstrzykiwany do krzemowego podloza moze bye tlumiony. [0052] Dzialanie ukladu polaryzuj'lcego zostanie teraz om6wione w odniesieniu do Fig. 9A i 98. Sprzllzenie rezystancyjne wyjscia wzmacniacza transmisji z napillciem zr6dla jest zapewnione przez element indukcyjny L10. Ten uklad polaryzuj'lcy jest ponadto przystosowany do sprzllgania antenowego wllzla wejsciowegoiwyjsciowego 390, 391 z mas'l przy nadawaniu komunikacji ze wzmacniacza transmisji 301, 302 oraz do odprzllgania antenowego wllzla wejsciowegoiwyjsciowego 390, 391 od masy, gdy komunikacje nie S'l nadawane ze wzmacniacza transmisji 301, 302. Zatem, gdy uklad przel'lczaj'lcy 330, 331, 332, 333 wl'lcza tranzystor FET, tor odbiorczy jest zasadniczo wyl'lczony. W tym momencie sygna/ pr6buje przeplyn'le - 13 przez diod~ PIN 310, 311 dla nadania przez W zwiqzku z tym, napi~cie bipolarny 720 wlqcza si~, anten~ 380 (nie pokazanq), ale moze nie m6c przeplynqe. sterujqce pin 830 zostaje utrzymywane przez uklad polaryzujqcy, a tranzystor co sygnalom RF przeplyw przez sprz~ga diod~ antenowy w~zel wejsciowy/wyjsciowy 390, 391 z masq i umozliwia PIN 310, 311 do anteny 380. [0053] Nalezy rozumiee, ze przyklady wykonania uklad6w polaryzujqcych oraz uklad6w z elementem indukcyjnym, zapewnione na Fig. 7 do 9B, mogq bye Iqczone z przykladami wykonania ukladu przelqczajqcego ziiustrowanymi np. na Fig. 6. Przykladowa konfiguracja polqczenia ukladu polaryzujqcego i ukladu z elementem indukcyjnym z ukladem przelqczajqcym wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, zostala zilustrowana na Fig. 10. Om6wienia dzialania ukladu zilustrowanego na Fig. 10 dla zwi~zlosci nie b~dq tu omawiane, gdyz dzialanie zostalo om6wione powyzej w odniesieniu do Fig. 6 do 9B. Nalezy rozumiee, ze chociaz Fig. 10 iiustruje przyklady wykonania ukladu polaryzujqcego i ukladu z elementem indukcyjnym zilustrowanych na Fig. 8A i 8B w polqczeniu z przykladami wykonania ukladu przelqczajqcego zilustrowanego na Fig. 6, przyklady wykonania przedmiotowego wynalazku nie Sq ograniczone do tej konfiguracji. lqczenie tych objasnieri moze zapewniae uklad nadawczo-odbiorczy, kt6ry zawiera uklad przelqczajqcy zawierajqcy tranzystor FET oraz spolaryzowany uklad izolujqcy, kt6ry umozliwia sygnalom RF przeplyw podczas operacji nadawania. [0054] Jak opisano powyzej w odniesieniu do Fig. 1 do 10, przyklady wykonania przedmiotowego wynalazku zapewniajq przelqcznik antenowy, kt6ry moze bye integrowany w jednym ukladzie scalonym, np. na jednym podlozu p61przewodnikowym ukladu scalonego, ze wzmacniaczem do zastosowania w urzqdzeniach komunikacyjnych, np. terminalach bezprzewodowych. W szczeg6lnosci, moze bye zapewniony przelqcznik antenowy zawierajqcy tranzystor polowy (FET) przystosowany do przelqczania terminala bezprzewodowego pomi~dzy nadawaniem komunikacji ze wzmacniacza transmisyjnego, a odbiorem komunikacji w odbiorniku. Tranzystory FET skonfigurowane jako wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, Sq aktywowane i1lub dezaktywowane w reakcji na napi~ciowy sygnal sterujqcy. Przelqczniki antenowe wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, dzialajq w reakcji na sterujqcy, dZi~ki napi~ciowy sygnal czemu klucze mogq nie pobierae znacznego prqdu, a urzqdzenia te mogq miee ulepszone charakterystyki dzialania wzgl~dem konwencjonalnych przelqcznik6w antenowych. Wedlug pewnych przyklad6w wykonania przedmiotowego wynalazku, przelqczniki mogq bye lqczone ze wzmacniaczami nadawczymi w pojedynczym ukladzie scalonym, konstrukcj~, kt6ra moze bye efektywna pod tym samym zapewniajq mniejszq, zintegrowanq wzgl~dem kosztu w odniesieniu do znanych przelqcznik6w antenowych. [0055] Na figurach rysunku oraz w specyfikacji ujawniono typowe korzystne przyklady wykonania przedmiotowego wynalazku i chociaz zastosowane zostaly konkretne terminy, Sq one zastosowane jedynie w og61nym i opisowym znaczeniu, a nie w celu ograniczenia, zas zakres przedmiotowego wynalazku jest przedstawiony w ponizszych zastrzezeniach. Zastrzezenia patentowe 1. Uklad nadawczo-odbiorczy zawierajqcy: wzmacniacz transmisji (301, 302) polqczony z antenowym w~zlem wejsciowym/wyjsciowym (390, 391), przy czym ten wzmacniacz transmisji (301, 302) jest przystosowany do wzmacniania komunikacji, kt6re maja bye nadawane z tego ukladu nadawczo-odbiorczego; - 14 odbiornik (370, 371, 372, 373) zawierajqcy wejscie odbiornika polqczone z antenowym w~zlem wejsciowymiwyjsciowym (390, 391); tranzystor polowy (330, 331, 332, 333, 620) dolqczony pomi~dzy wejsciem odbiornika a elektrycznym punktem odniesienie, przy czym ten tranzystor polowy jest przystosowany do zapewniania rozwarcia obwodu przy odbiorze komunikacji na wejsciu odbiornika oraz przy czym ten tranzystor polowy (330, 331, 332, 333, 620) jest przystosowany do zapewniania zwarcia obwodu, gdy komunikacje nie Sq odbierane na wejsciu odbiornika; znamienny tym, ze urzqdzenie izolujqce (310, 311) dolqczone w~zlem pomi~dzy wejsciowymiwyjsciowym (390, 391) oraz wzmacniaczem transmisji (301, 302) a antenowym pomi~dzy wzmacniaczem transmisji (301, 302) a wejsciem odbiornika; oraz uklad polaryzujqcy (790, 791, 792, 793) polqczony z antenowym w~zlem wejsciowymiwyjsciowym (390, 391), przy czym ten uklad poiaryzujqcy jest przystosowany do zapewniania niskiej impedancji w urzqdzeniu izolujqcym (310, 311) przy nadawaniu komunikacji ze wzmacniacza transmisji (301, 302) oraz do zapewniania wysokiej impedancji w urzqdzeniu izolujqcym, gdy komunikacje nie Sq nadawane ze wzmacniacza transmisji (301, 302). 2. Uklad nadawczo-odbiorczy wedlug zastrz. 1, przy czym wzmacniacz transmisji (301, 302) i tranzystor polowy (330, 331, 332, 333,620) Sq zintegrowane w jednym p61przewodnikowym ukladzie scalonym. 3. Uklad nadawczo-odbiorczy wedlug zastrz. 1, przy czym ten uklad nadawczo-odbiorczy jest zintegrowany w urzqdzeniu komunikacyjnym. 4. Uklad nadawczo-odbiorczy wedlug zastrz. 1, przy czym urzqdzenie izolujqce (310, 311) zawiera diod~ PIN. 5. Uklad nadawczo-odbiorczy wedlug zastrz. 1, przy czym uklad polaryzujqcy (790, 791, 792, 793) zawiera sprz~zenie rezystancyjne przystosowany do wyjscia sprz~gania wzmacniacza antenowego w~zla transmisji z napi~ciem zr6dla oraz wejsciowegoiwyjsciowego (390, 391) z masq przy nadawaniu komunikacji ze wzmacniacza transmisji (301, 302) oraz przystosowany do antenowego w~zla przelqcznik odprz~gania tego wejsciowegoiwyjsciowego (390, 391) od masy, gdy komunikacje nie Sq nadawane ze wzmacniacza transmisji (301, 302). 6. Uklad nadawczo-odbiorczy wedlug zastrz. 1, przy czym uklad polaryzujqcy (790, 791, 792, 793) zawiera sprz~zenie sprz~gania rezystancyjne wyjscia wzmacniacza transmisji z masq oraz przelqcznik przystosowany do antenowego w~zla wejsciowegoiwyjsciowego (390, 391) z napi~ciem komunikacji ze wzmacniacza transmisji (301, 302) i przystosowany do wejsciowegoiwyjsciowego (390, 391) od napi~cia zasilania przy nadawaniu odprz~gania antenowego w~zla zasilania, gdy komunikacje nie Sq nadawane ze wzmacniacza transmisji (301, 302). 7. Uklad nadawczo-odbiorczy wedlug zastrz. 1, ponadto zawierajqcy: - 15 element rezystancyjny (610) Sprzllzony z bramkq tranzystora polowego (330, 331, 332, 333, 620), przy czym ten tranzystor polowy (330, 331, 332, 333, 620) reaguje na sygna/ wejsciowy podawany za posrednictwem tego elementu rezystancyjnego (610) Sprzllzonego z jego bramkq (621). 8. Uklad nadawczo-odbiorczy wed/ug zastrz. 1, ponadto zawierajqcy: Iinill transmisyjnq do/qczon q pomilldzy wejsciem nadajnika a antenowym wllz/em wejsciowymiwyjsciowym (390, 391). 9. Uklad nadawczo-odbiorczy wed/ug zastrz. 8, ponadto zawierajqcy: kondensator (Cds) do/qczony pomilldzy wejsciem odbiornika a elektrycznym punktem odniesienia. 10. Uklad nadawczo-odbiorczy wed/ug zastrz. 9, przy czym elektryczny punkt odniesienia stanowi masa. 11. Uklad nadawczo-odbiorczy wedlug zastrz. 9, przy czym kondensator (Cds) ma pojemnosc, kt6ra jest w przyblizeniu r6wna pojemnosci milldzy drenem a zr6d/em tranzystora polowego (330, 331,332, 333, 620). 12. Uklad nadawczo-odbiorczy wedlug zastrz. 9, przy czym CZIlSC pojemnosci milldzy drenem a tr6dlem tranzystora zawiera pojemnosc mi~dzy bramkq a drenem i pojemnosc milldzy bramkq a tr6dlem tranzystora polowego (330,331,332,333,620). 13. Uklad nadawczo-odbiorczy wed/ug zastrz. 12, przy czym wskutek sterowania bramkq poprzez element rezystancyjny (610) oraz szeregowego sprzllzenia pojemnosci mi~dzy bramka a tr6del i milldzy bramkq a drenem, efektywna pojemnosc milldzy drenem a tr6d/em poprzez bramkll (621) moze stac p%wie pojemnosci mi~dzy si~ r6wna bramkq a drenem. 14. Uk/ad nadawczo-odbiorczy wed/ug zastrz. 1, przy czym obszar kana/u tranzystora polowego (330, 331, 332, 333, 620) jest Sprzllzony z masq przez tylnq stronll podloza 0 rezystancji podloza okolo 3000m6w. 15. Uklad nadawczo-odbiorczy wed/ug zastrz. 1, ponadto zawierajqcy: drugi odbiornik (370, 371, 372, 373), zawierajqcy wejscie drugiego odbiornika Sprzllzone z antenowym wllzlem wejsciowymiwyjsciowym; oraz drugi tranzystor polowy (330, 331, 332, 333, 620) do/qczony pomi~dzy wejsciem drugiego odbiornika a elektrycznym punktem odniesienia, przy czym ten drugi tranzystor polowy (330, 331, 332, 333, 620) jest przystosowany do zapewniania rozwarcia obwodu przy odbiorze komunikacji na tym wejsciu drugiego odbiornika oraz przy czym ten .tranzystor polowy (330, 331, 332, 333, 620) jest przystosowany do zapewniania zwarcia obwodu, gdy komunikacje nie Sq odbierane na wejsciu drugiego odbiornika. 16. Uklad nadawczo-odbiorczy wed/ug zastrz. 15, przy czym pierwszy i drugi tranzystor polowy (330, 331, 332, 333, 620) Sq ponadto przystosowane do zapewniania zwarcia obwodu przy nadawaniu komunikacji ze wzmacniacza transmisji (301, 302). 17. Uklad nadawczo-odbiorczy wed/ug zastrz. 1, ponadto zawierajqcy: - 16 drugi wzmacniacz transmisji (301, 302) polqczony z drugim antenowym w~zlem wejsciowym/wyjsciowym (390, 391), przy czym ten drugi wzmacniacz transmisji (301, 302) jest przystosowany do wzmacniania komunikacji, kt6re majq bye nadawane z tego ukladu nadawczo-odbiorczego; uk/ad wybierajqcy cz~stotliwose (350) dolqczony pomi~dzy pierwszym a drugim antenowym wejsciowym/wyjsciowym (390, 391), przy czym uklad wybierajqcy sprz~gania cz~stotiiwosci (350) jest przystosowany do z pierwszego pasma cz~stotiiwosci do/z pierwszego antenowego w~zla wejsciowego/wyjsciowego (390, 391) oraz do do/z drugiego antenowego cz~stotliwoS6 w~zlem w~zla sprz~gania cz~stotliwosci z drugiego pasma cz~stotliwosci wejsciowego/wyjsciowego (390, 391); drugi odbiornik (370, 371, 372, 373) zawierajqcy wejscie odbiornika polqczone z antenowym w~z/em wejsciowym/wyjsciowym; oraz drugi tranzystor polowy (330, 331, 332, 333, 620) do/qczony pomi~dzy wejsciem drugiego odbiornika a elektrycznym punktem odniesienia, przy czym ten drugi tranzystor polowy jest przystosowany do zapewniania rozwarcia obwodu przy odbiorze komunikacji na wejsciu drugiego odbiornika oraz przy czym ten drugi tranzystor polowy (330, 331, 332, 333,620) jest przystosowany do zapewniania zwarcia obwodu, gdy komunikacje nie Sq odbierane na wejsciu drugiego odbiornika. 18. Uklad nadawczo-odbiorczy wedlug zastrz. 5, przy czym przelqcznik jest ponadto przystosowany do odprz~gania antenowego w~z/a wejsciowego/wyjsciowego (390, 391) od masy przy odbiorze komunikacji w odbiorniku (370, 371, 372, 373). 19. Uklad nadawczo-odbiorczy wedlug zastrz. 6, przy czym przelqcznik jest ponadto przystosowany do odprz~gania antenowego w~zla wejsciowego/wyjsciowego (390, 391) od napi~cia zasilania przy odbiorze komunikacji w odbiorniku (370, 371, 372, 373). 20. Uklad nadawczo-odbiorczy wedlug zastrz. 6, przy czym wzmacniacz transmisji i tranzystor polowy (330, 331,332,333,620) Sq zintegrowane w jednym p61przewodnikowym uk/adzie scalonym. 21. Uklad nadawczo-odbiorczy wed/ug zastrz. 1, ponadto zawierajqcy: drugi odbiornik (370, 371, 372, 373) zawierajqcy wejscie drugiego odbiornika polqczone z antenowym w~zlem wejsciowym/wyjsciowym (390, 391); oraz drugi uklad polaryzujqcy (790, 791, 792, 793) polqczony z antenowym w~zlem wejsciowym/wyjsciowym (390, 391); przy czym ten drugi uklad polaryzujqcy (790, 791, 792, 793) jest przystosowany do zapewniania niskiej impedancji w urzqdzeniu izolujqcym (310, 311) przy nadawaniu komunikacji ze wzmacniacza transmisji (301, 302) oraz do zapewniania wysokiej impedancji w urzqdzeniu izolujqcym (310, 311), gdy komunikacje nie Sq nadawane ze wzmacniacza transmisji (301, 302). 22. Uklad nadawczo-odbiorczy wedlug zastrz. 1, przy czym ten uklad nadawczo-odbiorczy jest zintegrowany z urzqdzeniem komunikacyjnym. - 17 ODNOSNIKI CYTOWANE W OPISIE Ponitsza lista odnosnik6w cytowanych przez zglaszajijcego rna na celu wylijcznie pomoc dla czytajijcego i nie stanowi CZllsci dokumentu patentu europejskiego. Pomimo, te dolotono najwillkszej starannosci przy jej tworzeniu, nie motna wykluczy6 bllld6w lub przeoczen i EUP nie ponosi tadnej odpowiedzialnosci w tym wzgllldzie. Dokumenty patentowe cytowane w opisie ? US 5442812 A [0004] ? US 6332071 B [0009] 14 m "U I-' '" '"'" '"..., N III I-' 26 FIG. 1 ANTENA I 1 . . . . - -24? ? NADAJNIKIODBIORNIK KLAWIATURA GLOSNIK I I ? 25 r- STEROWNIK 15 I WYSWIETLACZ 27 MIKROFON I 17 FIG. 2 -- -- Uklad przelapzaja,c 330 300\ Ster. bramki Cds 370""",,' Odb. WYS1 I-C::l-II' 371 RCDS C30 Uklad przela,czaja,c 331 340 Ster. 1.--341 bramki R Cds Odb. WYS2 I----C:J-II' RCDS C31 321 320 , 380:\ C3 HI' 390 m "U ,.... 391 '"'" '" '"'" ..., III ~:l ~2 -=- I-C=J-il' Cds RCDS Uklad przela,czaja,cy 332 ID D C32 S .. Ster. bramki Odb. 373--' NIS2 342 Filtr do[noprz. ,.... 361 323 - C33 1 f---C=J-li' T Cds RCDS Uklad Ster. przela,czaja,c\ rbramki 333 -=- 343 FIG. 3 EP 1 625 667 61 +----l 1-- C20 ? ? 410 400 C21 I - .----v---. FIG. 4 Straty(dB) 30 FIG. 5 - ~C30,C31,C32/C33 I 370/371 372,373 { I W~d/~iS.1 I CDS RCDS IH HII 601 330,331, 332/ 333 622 611 I' -,-340,341,342,343 621 .... C> /620 610 Ster. bramki m "lJ I Cr-::::L 1-......-. 623 602 FIG. 6 - '"'" C> C> ..... ....tll .:. Uklad przelqczajqcy 330 790 700\ ?340 Ster. bramki Uklad ~ 370 Q I I E Uklad przelqCZajqCyH Ster. 1r341 331 bramki - l-C::J--li' 2dS RCDS - .I. C1 L Odb.2 WYS 371 850- RCDS fIl3p 380:\ ---~------j m ...."tl en '" en 851 L3 CB2 1Nz~ _~nl \ _ l4 F l-C::J--li' Cds 360....... CBtIUKlAD z r-ll' ELEMENTEM 1-!-----~39":"""0 INDUKCYJNYM I C31 A :~ ~ Vs R I r U1 UKLAD Z ELEMENTEM INDUKCYJNYM 391 HI' C2 en ..... Filtr dolno rze . III .... 361 373 O~b.l ~ C32 372-1 NIS Uklad ?laryz. 792 S Cdsr-c::J-l1' RCDS Uklad przelqCzaiqCyH Ster. 332 bramki 342 -:: ..L.. Odb.2 ~ r-c::J-l1' NIS I IT Cds RCDS Uklad przelqczajqcy 333 Ster. bramki 343 FIG. 7 EP 1 625 667 B1 790,791 792,793 722 "'- /720 Napi~cie steruja.ce Pin 724 710 721 FIG.8A 850,851 I 310,311 FIG. 88 730 EP 1 625 667 B1 790,791 792,793,\ 810 822 /820 Napi~cie steruja,ce Pin 824 - 821 FIG.9A 850,851 I FIG. 98 830 ~ I Vs I 722 /720 "-30U02 Napi~cie 320,321,322,323 Odb. Wys.lNis. I C30,C31,C32, C33 370,371 372,373 11=---i H I L CDS 710 I ~ -;21 724~' sterujqce PIN 730 __! HI, ReDS m "U I-' 601 622 (620 610 Ster. bramki ....,...... I 409,411,413,415 I-J \\ I ~ I' 621 330, 331, 332, 333 I ,e 61l --r--:L 623 602 FIG. 10 '"'" '"'" '".....OJ I-'

























Grupy dyskusyjne